《亚博》三安光电拟收购半导体晶圆制造商美国环宇公司

2019-07-08 11:25:54 浏览: 540次 作者:亚博

 3月11日早间,国内LED芯片巨子三安光电(600703.SH)发布对外投资通知布告称,公司全资子公司厦门市三安集成电路有限公司(以下简称“三安集成公司” )拟以自有货泉资金2.26亿美金的买卖总价归并英属开曼群岛商环宇通信半导体控股股分有限公司(以下简称“美国环宇”)。

  而这是三安光电在第三代半导体范畴的首个年夜手笔跨国并购案。

  资料显示,美国环宇成立在1997年,是全球领先的化合物半导体晶圆制造办事商。公司制造的产物包罗用在无线通信市场的射频积体电路(RFIC)和毫米波积体电路,用在功率电子市场的功率元件,和用在光纤通光纤信讯的光电探测器和激光器。2008-2015年公司的营业范围快速增加,CAGR为13.3%,2015年的毛利润率和净利润率别离到达42.42%和17.29%,在半导体系体例造范畴处在较高程度。

  “化合物半导体三年夜材料GaAs份额最高,首要用在通信范畴,全球市场容量约74亿美元,首要受益通讯射频芯片特别是PA驱动;GaN年夜功率、高频机能更超卓,首要利用在军事范畴,今朝市场容量不到2亿美元,但将来望成长至10亿美金;SiC可用作年夜功率高频功率半导体如IGBT和MOSFET,当前2亿美金市场,将来有望成长至20亿美金,化合物半导体总市场将来将跨越100亿美金。”招商证券在一份研报中指出。

  半导体材料成长至今已历三代:第一代半导体材料以锗和硅为代表,被普遍应用在集成电路制造范畴;第二代半导体材料以砷化镓、磷化铟为代表,首要利用在以光发射器件为根本的鲜明示、光通讯和光存储等光电子系统;第三代半导体材料则以氮化镓、碳化硅、金刚石为代表,具有具有宽的带隙、强的原子键、高的热导率、高熔点(1700摄氏度)、耐侵蚀等长处。

  三安光电最近几年来在第三代半导体材料范畴几次发力。

  此前三安光电拟增发募资扶植年产30万片GaAs 和年产6万片GaN6寸出产线。今朝三 安5000片/月的GaAs 一期已最先试产,估计来岁中量产,GaN 产线装备亦在慢慢到位。

  “补全化合物半导体芯片缺口,实现自立可控。”长江证券研究员莫文宇认为,近期美国对中兴通信下达出口限制令,焦点芯片的缺掉将致使中兴通信多项营业面对破产的风险,芯片的自立可控再次被推至风口浪尖。三安光电致力在GaAs和GaN芯片的研制和出产,将实现化合物半导体芯片的自立可控。

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